Descum (PR, PI, PBO, BCB)
표면 개질
절연막 에칭(SiO2, Si3N4)
웨이퍼 레벨 패키징에 이용 되는 범프 형성 시에 사용
감광막 현상 후, 다른 부분의 감광막의 손상 없이 감광막 찌꺼기를 제거 하여 범프 형성을 위한 전기 도금이 정상적으로 이루어지게 함
Plasma source | ICP & RF bias |
---|---|
Wafer size | 200mm / 300mm |
Wafer transfer | Vacuum transfer using loadLock |
System dimension (mm) Process chamber |
2750 x 3130 x 1775 |
Max 3 | |
Application | Descum (PR, PI, PBO, BCB) |
Surface modification | |
Etch (SiO2, Si3N4) | |
Operating software | Windows 7 |
FIDES - cluster control software |
뛰어난 에칭 균일도 : 〈 3%
신뢰성이 확보된 브룩스 플랫폼
진공 상태 이송에 따른 산화 방지 및 파티클 저감
최적화 챔버 채용에 따른 낮은 소모품 비용
고성능 ESC 척을 이용한 Mold&Class 웨이퍼 처리 대응