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VSP-888 SW

VSP-888 SW

Application

Descum (PR, PI, PBO, BCB)
표면 개질
절연막 에칭(SiO2, Si3N4)

웨이퍼 레벨 패키징에 이용 되는 범프 형성 시에 사용
감광막 현상 후, 다른 부분의 감광막의 손상 없이 감광막 찌꺼기를 제거 하여 범프 형성을 위한 전기 도금이 정상적으로 이루어지게 함

Specification

Plasma source ICP & RF bias
Wafer size 200mm / 300mm
Wafer transfer Vacuum transfer using loadLock
System dimension (mm)
Process chamber
2750 x 3130 x 1775
Max 3
Application Descum (PR, PI, PBO, BCB)
Surface modification
Etch (SiO2, Si3N4)
Operating software Windows 7
FIDES - cluster control software

Features

뛰어난 에칭 균일도 : 〈 3%
신뢰성이 확보된 브룩스 플랫폼
진공 상태 이송에 따른 산화 방지 및 파티클 저감
최적화 챔버 채용에 따른 낮은 소모품 비용
고성능 ESC 척을 이용한 Mold&Class 웨이퍼 처리 대응