我们将竭尽全力做出更好的产品。

VSP-888 SW

VSP-888 SW

Application

Descum (PR, PI, PBO, BCB)
表面改质
绝缘膜侵蚀(SiO2, Si3N4)

为形成晶圆级封装中使用的凸块时使用
感光膜现象后,在避免其他部分感光膜受损的情况下清除感光膜渣子,并保证电镀的顺利进行,从而成功形成凸块

Specification

Plasma source ICP & RF bias
Wafer size 200mm / 300mm
Wafer transfer Vacuum transfer using loadLock
System dimension (mm)
Process chamber
2750 x 3130 x 1775
Max 3
Application Descum (PR, PI, PBO, BCB)
Surface modification
Etch (SiO2, Si3N4)
Operating software Windows 7
FIDES - cluster control software

Features

超强的侵蚀均匀度 : 〈 3%
值得信赖的Brooks平台
防止真空状态传送过程中发生的氧化以及减少颗粒
通过采用最适合的真空腔降低耗材费用
通过高性能ESC Chuck应对Mold&Class Wafer处理