Descum (PR, PI, PBO, BCB)
表面改质
绝缘膜侵蚀(SiO2, Si3N4)
为形成晶圆级封装中使用的凸块时使用
感光膜现象后,在避免其他部分感光膜受损的情况下清除感光膜渣子,并保证电镀的顺利进行,从而成功形成凸块
Plasma source | ICP & RF bias |
---|---|
Wafer size | 200mm / 300mm |
Wafer transfer | Vacuum transfer using loadLock |
System dimension (mm) Process chamber |
2750 x 3130 x 1775 |
Max 3 | |
Application | Descum (PR, PI, PBO, BCB) |
Surface modification | |
Etch (SiO2, Si3N4) | |
Operating software | Windows 7 |
FIDES - cluster control software |
超强的侵蚀均匀度 : 〈 3%
值得信赖的Brooks平台
防止真空状态传送过程中发生的氧化以及减少颗粒
通过采用最适合的真空腔降低耗材费用
通过高性能ESC Chuck应对Mold&Class Wafer处理